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IXTA 3N120
IXTP 3N120
6
Fig. 7. Input Admittance
8
Fig. 8. Transconductance
5
4
3
7
6
5
4
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
2
1
0
T J = 120 o C
25 o C
-40 o C
3
2
1
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
1.5
3
4.5
6
7.5
9
9
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
8
7
6
5
8
6
V D S = 600V
I D = 1.5A
I G = 10mA
4
3
2
1
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
8
16
24
32
40
48
10000
1000
100
10
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
C iss
C oss
C rss
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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